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图片信息
IRF530NPBF图片
Infineon公司
基本参数:
  • 制造商:Infineon(365bet体育彩票_365bet免费投注优惠_365bet 网上赌场)
  • 出厂封装:TO-220AB
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    IR公司完整型号:IRF530NPBF
    制造厂家名称:International Rectifier(已被365bet体育彩票_365bet免费投注优惠_365bet 网上赌场收购)
    描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
    系列:HEXFET
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:逻辑电平门
    漏源极电压 (Vdss):100V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 9A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):37nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 25V
    功率 - 最大值:70W
    安装类型:通孔
    封装/外壳:TO-220-3
    供应商器件封装:TO-220AB

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